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【单选题】

和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是( )。

A．集成度低，存取周期快，位平均功耗大

B．集成度低，存取周期慢，位平均功耗小
C．集成度高，存取周期快，位平均功耗小
D．集成度高，存取周期慢，位平均功耗大
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根据网考网移动考试中心的统计，该试题：

67%的考友选择了A选项

20%的考友选择了B选项

7%的考友选择了C选项

6%的考友选择了D选项

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