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【单选题】

&nBsp;某双绕组变压器的额定容量为20 mv•A，短路损耗为120 kw，额定变比为110／11，则归算到低压侧的等值电阻为( &nBsp; ) 。

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4%的考友选择了A选项

33%的考友选择了B选项

61%的考友选择了C选项

2%的考友选择了D选项

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锗二极管VD，电压E和电阻R(R一3kQ)组成的电路如图2—1—7所示，该电路中在如图2—1—8所示的电路中，Ui=4V，VDl和VD2为理想二极管，图中VDl锗二极管和硅二极管的伏安特性如图2—1—9所示，锗管的特性曲线是()。A.由a和在如图2-1—10所示的几条曲线中，表示理想二极管正向伏安特性的是()。]硅的单向导电性比锗的()。A.好B.差C.无明显区别D.以上都不对三相导线的几何均距越大，则导线的电抗()。A.越大B.越小C.不变D.无法确定
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