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【单选题】

下列说法不正确的是()。

A.半导体存储器的基本结构都是由地址译码器、存储矩阵和读写控制电路三大部分构成的
B.ROM的主要特点是在工作电源下可以随机地写入或读出数据
C.静态RAM存储单元的主体是由一对具有互为反馈的倒相器组成的双稳态电路
D.动态RAM存储单元的结构比静态RAM存储单元的结构简单
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根据网考网移动考试中心的统计,该试题:

0%的考友选择了A选项

87%的考友选择了B选项

4%的考友选择了C选项

9%的考友选择了D选项

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图示正弦电路中,相量,电感电压有效值UL=25V,则阻抗Z为()。A.(7.07正弦波振荡器如图所示,为了获得频率可调的输出电压,则应该调节的电阻是()。A.R单管共射交流放大电路如图所示,该电路的输出电压uo与输入电压ui的相位关系是()在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路,直流电源也视为短路,这种处理方法是3线-8线译码器74LS138电路图如图所示。当输入端A=0、B=0、C=1时,某电气设备的复阻抗Z=(173-j100)Ω,则其功率因数λ为()。A.0.86