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某开发区拟建设一集成电路项目，项目规模为建设8英寸0.35～0.18μm芯片(月投产 4000片)；12英寸(3.048 Cm)先进制程线，0.13～0.09/μm芯片(月投产4000片)。本项目建设两年，试生产期两年，总投资110亿元。评价区域内环境空气和地下水环境质量本底较好，不存在超标现象。该项目建设符合当地的工业发展规划和城市发展规划。本项目的技术发展和集成电路制造的重点将以互补金属氧化物半导体Cmos)工艺为主。芯片生产工序主要有外购硅片清洗、氧化、光刻、蚀刻、扩散、离子植入、化学气相沉积、金属化、后加工等。
根据以上内容，回答以下问题。
某开发区拟建设一集成电路项目，项目规模为建设8英寸0.35～0.18μm芯片(月投产 4000片)；12英寸(3.048 Cm)先进制程线，0.13～0.09/μm芯片(月投产4000片)。本项目建设两年，试生产期两年，总投资110亿元。评价区域内环境空气和地下水环境质量本底较好，不存在超标现象。该项目建设符合当地的工业发展规划和城市发展规划。本项目的技术发展和集成电路制造的重点将以互补金属氧化物半导体Cmos)工艺为主。芯片生产工序主要有外购硅片清洗、氧化、光刻、蚀刻、扩散、离子植入、化学气相沉积、金属化、后加工等。
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该项目气态污染物hF的卫生防护距离计算值为35m，则在评价时该项目卫生防护距离应定为多少